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High efficiency, low vertical divergence angle 980nnn Al-free active region lasers with novel large optical cavity and asymmetrical cladding layers 会议论文
IN-PLANE SEMICONDUCTOR LASERS IV, 3947, SAN JOSE, CA, JAN 24-25, 2000
作者:  Xiu ZT;  Zhang JM;  Ma XY;  Yang GW;  Shen GD;  Chen LH;  Xiu ZT Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Sqw Lasers  Ingaasp  Power  Fiber  Nm  
Native oxided AlAs current blocking layer for AIGaInP high brightness light emitting diodes 会议论文
LIGHT-EMITTING DIODES: RESEARCH, MANUFACTURING, AND APPLICATIONS IV, 3938, SAN JOSE, CA, JAN 26-27, 2000
作者:  Wang GH;  Ma XY;  Zhang YF;  Wang ST;  Li YZ;  Chen LH;  Wang GH Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Engn Res Ctr Optoelect Devices Beijing 100083 Peoples R China.
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Native Oxided Alas  Current Blocking Layer  Algainp  High Brightness Light Emitting Diodes  
Epitaxial growth of GaNAs/GaAs heterostructure materials 会议论文
THIN SOLID FILMS, 368 (2), SHANGHAI, PEOPLES R CHINA, MAY 10-13, 1999
作者:  Lin YW;  Pan Z;  Li LH;  Zhou ZQ;  Wang H;  Zhang W;  Lin YW Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(195Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1504/289  |  提交时间：2010/11/15
Ganas  Dc Active N-2 Plasma  Molecular Beam Epitaxy  Nitrogen Content  Fourier Transform Infrared Spectroscopy Of Intensity  Band-gap Energy  Gaas1-xnx  Nitrogen  
High power 980 nm Al-free strained quantum-well lasers for erbium-doped fiber amplifiers 会议论文
OPTICAL MATERIALS, 14 (3), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:  Chen LH;  Xu ZT;  Ma XY;  Zhang JM;  Yang GW;  Xu JY;  Chen LH Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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High Power  Al-free Laser  Communication  Epitaxy  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen LH;  Xu ZT;  Ma XY;  Zhang JM;  Yang GW;  Xu JY;  Chen LH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(271Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：895/318  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lin YW;  Pan Z;  Li LH;  Zhou ZQ;  Wang H;  Zhang W;  Lin YW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(195Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：934/328  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Pan Z;  Li LH;  Lin YW;  Zhou ZQ;  Zhang W;  Wang YT;  Wu RH;  Pan Z,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Res Ctr Optoelect Technol,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li LH;  Pan Z;  Zhang W;  Lin YW;  Zhou ZQ;  Wu RH;  Li LH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Res Ctr Optoelect Technol,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Pan Z;  Li LH;  Zhang W;  Lin YW;  Wu RH;  Ge W;  Pan Z,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Pan Z;  Li LH;  Zhang W;  Lin YW;  Wu RH;  Pan Z,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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