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| 一种在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 吴洁君; 韩修训 ; 李杰民; 黎大兵; 陆沅; 王晓晖
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| 紫外激光写入制备高折射率差二氧化硅波导的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 夏君磊; 吴远大; 安俊明; 郜定山; 李健; 龚春娟; 胡雄伟
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Chen YY (Chen Yuan-Yuan); Li YP (Li Yan-Ping); Sun F (Sun Fei); Yang D (Yang Di); Chen SW (Chen Shao-Wu); Yu JZ (Yu Jin-Zhong); Chen, YY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: chyy@red.semi.ac.cn
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| GaAs 基量子点垂直腔面发射激光器的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者: 李若园
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Li SP (Li Shuping); Fang ZL (Fang Zhilai); Chen HY (Chen Hangyang); Li JC (Li Jinchai); Chen XH (Chen Xiaohong); Yuan XL (Yuan Xiaoli); Sekiguchi T (Sekiguchi Takashi); Wang QM (Wang Qiming); Kang JY (Kang Junyong); Kang, JY, Xiamen Univ, Dept Phys, Xiamen 361005, Peoples R China. E-mail: jykang@xmu.edu.cn
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| Defect influence on luminescence efficiency of GaN-based LEDs 会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 13-19, 2005
作者: Li SP (Li Shuping); Fang ZL (Fang Zhilai); Chen HY (Chen Hangyang); Li JC (Li Jinchai); Chen XH (Chen Xiaohong); Yuan XL (Yuan Xiaoli); Sekiguchi T (Sekiguchi Takashi); Wang QM (Wang Qiming); Kang JY (Kang Junyong); Kang, JY, Xiamen Univ, Dept Phys, Xiamen 361005, Peoples R China. 电子邮箱地址: jykang@xmu.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 赵有文; 董志远; 魏学成; 段满龙; 李晋闽
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 赵有文; 董志远; 李成基; 段满龙; 孙文荣
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 赵有文; 董志远; 魏学成; 段满龙; 李晋闽
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 魏学成; 赵有文; 董志远; 李晋闽
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