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制作光子晶体结构GaN基发光二极管的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈弘达;  胡海洋
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一种具有薄氮化铪可协变层的硅基可协变衬底材料 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  范海波;  李成明;  陈涌海;  王占国
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一种用于氧化锌外延薄膜生长的硅基可协变衬底材料 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  范海波;  李成明;  陈涌海;  王占国
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铟镓砷/铟铝砷耦合量子点红外探测器及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨晓杰;  马文全;  种明;  苏艳梅;  陈良惠
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检测键合质量的红外透视成像装置及调节方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  何国荣;  郑婉华;  杨国华;  石岩;  渠红伟;  宋国锋;  陈良惠
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长波长垂直腔面发射激光器的结构和制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  何国荣;  渠红伟;  郑婉华;  杨国华;  宋国锋;  陈良惠
Adobe PDF(702Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1072/206  |  提交时间：2009/06/11
基于TM模激射的圆柱形结构的微盘激光器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨跃德;  黄永箴;  罗贤树;  陈沁
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二维纳米结构深刻蚀方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  马小涛;  郑婉华;  杨国华;  任刚;  陈良惠
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li YQ;  Yang Y;  Fu SY;  Yi XY;  Wang LC;  Chen HD;  Fu, SY, Chinese Acad Sci, Tech Inst Phys & Chem, Beijing 100190, Peoples R China. 电子邮箱地址: syfu@mail.ipc.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen JJ;  Li ZF;  Fan ZC;  Yang FH;  Chen, JJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Res Ctr Semicond Integrat, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jjchen@semi.ac.cn
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