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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li YQ;  Yang Y;  Fu SY;  Yi XY;  Wang LC;  Chen HD;  Fu, SY, Chinese Acad Sci, Tech Inst Phys & Chem, Beijing 100190, Peoples R China. 电子邮箱地址: syfu@mail.ipc.ac.cn
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一种制备金属铪薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  柴春林;  刘志凯;  陈涌海;  陈诺夫;  王占国
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一种制备金属锆薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  柴春林;  刘志凯;  陈涌海;  陈诺夫;  王占国
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利用离子束外延生长设备制备氮化锆薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  柴春林;  刘志凯;  陈涌海;  陈诺夫;  王占国
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利用离子束外延生长设备制备氮化铪薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  柴春林;  刘志凯;  陈涌海;  陈诺夫;  王占国
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单相钆硅化合物以及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李艳丽;  陈诺夫;  杨少延;  刘志凯
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低能氧离子束辅助脉冲激光沉积氧化物薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  刘志凯;  柴春林;  陈诺夫;  王占国
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大计量离子注入法制备磁体/半导体混杂结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  宋书林;  陈诺夫;  周剑平;  杨少延;  刘志凯;  柴春林
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磁性p-n结薄膜材料及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周剑平;  陈诺夫;  张富强;  刘志凯;  杨少延;  柴春林
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组份渐变铁磁性半导体制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈诺夫;  张富强;  杨君玲;  刘志凯;  杨少延;  柴春林
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