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一种生长氧化锌薄膜的装置及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  刘祥林;  赵凤瑷;  焦春美;  董向芸;  张晓沛;  范海波;  魏宏源;  张攀峰;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, XH;  Wang, XL;  Feng, C;  Xiao, HL;  Yang, CB;  Wang, JX;  Wang, BZ;  Ran, JX;  Wang, CM;  Wang, XH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wxh@mail.semi.ac.cn
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Hydrogen sensors based on Pt-AlGaN/GaN back-to-back Schottky diode 会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Kyoto, JAPAN, OCT 15-18, 2007
作者:  Wang, XH;  Wang, XL;  Xiao, HL;  Feng, C;  Wang, XY;  Wang, BZ;  Yang, CB;  Wang, JX;  Wang, CM;  Ran, JX;  Hu, GX;  Li, JM;  Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Gas Sensors  Hemt Structures  Mobility  Temperature  Transistors  Growth  Mocvd  Layer  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Feng, C;  Wang, XL;  Yang, CB;  Xiao, HL;  Zhang, ML;  Jiang, LJ;  Tang, J;  Hu, GX;  Wang, JX;  Wang, ZG;  Feng, C, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cfeng@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, XH;  Wang, XL;  Feng, C;  Yang, CB;  Wang, BZ;  Ran, JX;  Xiao, HL;  Wang, CM;  Wang, JX;  Wang, XH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wxh@mail.semi.ac.cn
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Hydrogen sensors based on Pt-AlGN/AIN/GaN Schottky diode - art. no. 68291R 会议论文
ADVANCED MATERIALS AND DEVICES FOR SENSING AND IMAGING III, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:  Wang, XH;  Wan, XL;  Xiao, HL;  Feng, C;  Way, BZ;  Yang, CB;  Wang, JX;  Wang, CM;  Ran, JX;  Hu, GX;  Li, JM;  Wan, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Hydrogen Sensor  Algan/gan Heterostructure  Schottky Diode