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一种氮化物半导体器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2001-10-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陆大成;  刘祥林;  袁海荣;  王晓晖
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Orientation relationship between hexagonal inclusions and cubic GaN grown on GaAs(001) substrates 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Qu B;  Zheng XH;  Wang YT;  Xu DP;  Lin SM;  Yang H;  Liang JW;  Qu B Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelectron POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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X-ray Diffraction  Nitrides  Semiconducting Iii-v Materials  Phase  Films  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng XH;  Qu B;  Wang YT;  Dai ZZ;  Han JY;  Yang H;  Liang JW;  Zheng XH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,R&D Ctr Optoelec Technol,POB 912,Beijing 100093,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng XH;  Qu B;  Wang YT;  Feng ZH;  Han JY;  Yang H;  Liang JW;  Zheng XH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,R&D Ctr Optoelec Technol,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen Z;  Lu DC;  Wang XH;  Liu XL;  Han PD;  Yuan HR;  Wang D;  Wang ZG;  He ST;  Li HL;  Yan L;  Chen XY;  Chen Z,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Fu Y;  Yang H;  Zhao DG;  Zheng XH;  Li SF;  Sun YP;  Feng ZH;  Wang YT;  Duan LH;  Fu Y,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Qu B;  Zheng XH;  Wang YT;  Feng ZH;  Han JY;  Liu S;  Lin SM;  Yang H;  Liang JW;  Qu B,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng XH;  Qu B;  Wang YT;  Yang H;  Liang JW;  Han JY;  Zheng XH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Qu B;  Zheng XH;  Wang YT;  Lin SM;  Yang H;  Liang JW;  Qu B,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Labs Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Qu B;  Zheng XH;  Wang YT;  Xu DP;  Lin SM;  Yang H;  Liang JW;  Qu B,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelectron,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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