×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
资助项目
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
中国科学院半导体研... [17]
作者
王玉田 [2]
叶小玲 [1]
徐波 [1]
文献类型
期刊论文 [16]
会议论文 [1]
发表日期
1999 [17]
语种
英语 [11]
中文 [6]
出处
半导体学报 [6]
JOURNAL OF... [3]
APPLIED PH... [1]
JOURNAL OF... [1]
JOURNAL OF... [1]
JOURNAL OF... [1]
更多...
资助项目
收录类别
SCI [9]
CSCD [7]
CPCI-S [1]
资助机构
国家863计划 [5]
国家863计划,国家... [1]
×
知识图谱
SEMI OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共17条,第1-10条
帮助
限定条件
发表日期:1999
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
发表日期升序
发表日期降序
作者升序
作者降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
Electrical properties of GaN deposited on nitridated sapphire by molecular beam epitaxy using NH3 cracked on the growing surface
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201, CANNES, FRANCE, AUG 31-SEP 04, 1998
作者:
Zhang JP
;
Sun DZ
;
Li XB
;
Wang XL
;
Kong MY
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Lin LY
;
Zhang JP Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(127Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1320/307
  |  
提交时间:2010/11/15
Stress
Growth
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang JP
;
Sun DZ
;
Wang XL
;
Kong MY
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Lin LY
;
Zhang JP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Novel Mat Ctr,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(71Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1067/486
  |  
提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Jiang WH
;
Xu HZ
;
Xu B
;
Wu J
;
Ye XL
;
Liu HY
;
Zhou W
;
Sun ZZ
;
Li YF
;
Liang JB
;
Wang ZG
;
Jiang WH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(479Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:884/244
  |  
提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang JP
;
Sun DZ
;
Li XB
;
Wang XL
;
Kong MY
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Lin LY
;
Zhang JP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(127Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1140/343
  |  
提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang XL
;
Jin JC
;
Xie Z
;
Li JM
;
Wang PD
;
Liu GB
;
Long B
;
Zhang XL,Cent S Univ Technol,Dept Appl Phys,Changsha 410083,Peoples R China.
Adobe PDF(47Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:854/212
  |  
提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Sun XL
;
Yang H
;
Wang YT
;
Li GH
;
Zheng LX
;
Li JB
;
Xu DP
;
Wang ZG
;
Sun XL,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(440Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:883/302
  |  
提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Xia JB
;
Cheah KW
;
Wang XL
;
Sun DZ
;
Kong MY
;
Xia JB,Hong Kong Baptist Univ,Dept Phys,Hong Kong,Peoples R China.
Adobe PDF(109Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1117/361
  |  
提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Kong MY
;
Wang XL
;
Pan D
;
Zeng YP
;
Wang J
;
Ge WK
;
Kong MY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(90Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:848/258
  |  
提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang JP
;
Sun DZ
;
Wang XL
;
Kong MY
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Lin LY
;
Zhang JP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Novel Mat Ctr,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(76Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:997/271
  |  
提交时间:2010/08/12
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Sun XL
;
Yang H
;
Zheng LX
;
Xu DP
;
Li JB
;
Wang YT
;
Li GH
;
Wang ZG
;
Sun XL,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Res Ctr Optoelect Technol,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(70Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1035/366
  |  
提交时间:2010/08/12