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低生长温度下提高化合物半导体中n型掺杂浓度的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  江李;  林涛;  韦欣;  王国宏;  马骁宇
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带有锥形增益区的脊型波导高功率半导体激光器结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-10-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张洪波;  韦欣;  朱晓鹏;  王国宏;  马骁宇
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张洪波;  韦欣;  朱晓鹏;  王国宏;  张敬明;  马骁宇
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张洪波;  韦欣;  朱晓鹏;  王国宏;  张敬明;  马骁宇
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  汪辉;  朱建军;  王国宏;  C Bruynseraede;  K Maex
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang Hui;  Zhu Jianjun;  Wang Guohong;  Bruynseraed C;  Maex k
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  江李;  林涛;  韦欣;  王国宏;  张广泽;  张洪波;  马骁宇;  李献杰
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