SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
InP基长波长光发射OEIC材料的MOCVD生长
江李; 林涛; 韦欣; 王国宏; 张广泽; 张洪波; 马骁宇; 李献杰
2005
Source Publication半导体学报
Volume26Issue:2Pages:319-323
Abstract为了生长制作器件所需的外延片,采用低压金属有机物化学气相沉积方法在半绝缘InP衬底上生长了InP/InGaAs异质结双极晶体管(HBT)结构、1.55μm多量子阱激光二极管以及两者集成的光发射光电集成电路材料结构.激光器结构的生长温度为655℃,有源区为5个周期的InGaAsP/ InGaAsP多量子阱(阱区λ=1.6μm,垒区λ=1.28μm);HBT结构则采用550℃低温生长,其中基区采用Zn掺杂,掺杂浓度约为2×1019cm-3.对生长的各种结构分别进行了X射线双晶衍射,光致发光谱和二次离子质谱仪的测试,结果表明所生长的材料结构已满足制作器件的要求.
metadata_83中国科学院半导体研究所;河北半导体研究所
Subject Area半导体器件
Funding Organization国家高技术研究发展计划资助项目
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:1922472
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17135
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
江李,林涛,韦欣,等. InP基长波长光发射OEIC材料的MOCVD生长[J]. 半导体学报,2005,26(2):319-323.
APA 江李.,林涛.,韦欣.,王国宏.,张广泽.,...&李献杰.(2005).InP基长波长光发射OEIC材料的MOCVD生长.半导体学报,26(2),319-323.
MLA 江李,et al."InP基长波长光发射OEIC材料的MOCVD生长".半导体学报 26.2(2005):319-323.
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