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GaInNAs/GaAs quantum well lasers grown by solid-source molecular beam epitaxy 会议论文
COMMAD 2000 PROCEEDINGS, BUNDOORA, AUSTRALIA, DEC 06-08, 2000
作者:  Pan Z;  Li LH;  Wang XY;  Lin YW;  Pan Z Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Operation  会议主办方: La Trobe Univ  Depts Electr Engn & Phys  
Optical transitions in GaNAs/GaAs single quantum well 会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者:  Luo XD;  Xu ZY;  Sun BQ;  Pan Z;  Li LH;  Lin YW;  Ge WK;  Luo XD Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Ganas  Photoluminescence  Band Offset  Band Bowing Coefficient  Localized Exciton  Molecular-beam Epitaxy  Alloys  Temperature  Gaasn  
Epitaxial growth of GaNAs/GaAs heterostructure materials 会议论文
THIN SOLID FILMS, 368 (2), SHANGHAI, PEOPLES R CHINA, MAY 10-13, 1999
作者:  Lin YW;  Pan Z;  Li LH;  Zhou ZQ;  Wang H;  Zhang W;  Lin YW Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Ganas  Dc Active N-2 Plasma  Molecular Beam Epitaxy  Nitrogen Content  Fourier Transform Infrared Spectroscopy Of Intensity  Band-gap Energy  Gaas1-xnx  Nitrogen  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lin YW;  Pan Z;  Li LH;  Zhou ZQ;  Wang H;  Zhang W;  Lin YW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Pan Z;  Li LH;  Lin YW;  Zhou ZQ;  Zhang W;  Wang YT;  Wu RH;  Pan Z,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Res Ctr Optoelect Technol,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li LH;  Pan Z;  Zhang W;  Lin YW;  Zhou ZQ;  Wu RH;  Li LH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Res Ctr Optoelect Technol,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Pan Z;  Li LH;  Zhang W;  Lin YW;  Wu RH;  Ge W;  Pan Z,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Pan Z;  Li LH;  Zhang W;  Lin YW;  Wu RH;  Pan Z,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Pan Z;  Wang YT;  Li LH;  Zhang W;  Lin YW;  Zhou ZQ;  Wu RH;  Pan Z,Chinese Acad Sci,State Key Lab Integrated Optoelect,Natl Res Ctr Optoelect Technol,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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Investigation on integrated high speed DFB light source and narrow bandwidth RCE photodetector for WDM fiber communication network application 会议论文
ADVANCED PHOTONIC SENSORS: TECHNOLOGY AND APPLICATIONS, 4220, BEIJING, PEOPLES R CHINA, NOV 08-10, 2000
作者:  Wang QM;  Li C;  Pan Z;  Luo Y;  Wang QM Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Join Lab Integrates Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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Gain-coupling Dfb Laser  Ea Modulator  Rce Photodetector  Monolithic Integration  Mu-m  Laser