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多功能半导体晶片键合装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-12-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨国华;  何国荣;  石岩;  宋国峰;  郑婉华;  陈良惠
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用于键合的清洗和干燥装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-12-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  何国荣;  石岩;  杨国华;  郑婉华;  陈良惠
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具有氮化铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  陈涌海;  李成明;  范海波;  王占国
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具有金属铪薄中间层的SOI型复合可协变层衬底 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  陈涌海;  李成明;  范海波;  王占国
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具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  杨霏;  李成明;  范海波;  陈涌海;  刘志凯;  王占国
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利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  陈涌海;  李成明;  范海波;  王占国
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砷化镓基量子级联半导体激光器材料及生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李路;  刘峰奇;  刘俊岐;  郭瑜;  周华兵;  梁凌燕;  吕小晶
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利用温度改变不同热膨胀系数材料的晶片键合的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨国华;  何国荣;  宋国锋;  石岩;  郑婉华;  陈良惠
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou WZ (Zhou Wen-Zheng);  Lin T (Lin Tie);  Shang LY (Shang Li-Yan);  Huang ZM (Huang Zhi-Ming);  Cui LJ (Cui Li-Jie);  Li DL (Li Dong-Lin);  Gao HL (Gao Hong-Ling);  Zeng YP (Zeng Yi-Pine);  Guo SL (Guo Shao-Ling);  Gui YS (Gui Yong-Sheng);  Chu JH (Chu Jun-Hao);  Zhou, WZ, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Tech Phys, Natl Lab Infrared Phys, Shanghai 200083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jhchu@mail.sitp.ac.en
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou WZ (Zhou Wen-Zheng);  Lin T (Lin Tie);  Shang LY (Shang Li-Yan);  Huang ZM (Huang Zhi-Ming);  Zhu B (Zhu Bo);  Cui LJ (Cui Li-Jie);  Gao HL (Gao Hong-Ling);  Li DL (Li Dong-Lin);  Guo SL (Guo Shao-Ling);  Gui YS (Gui Yong-Sheng);  Chu JH (Chu Jun-Hao);  Zhou, WZ, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Tech Phys, Natl Lab Infrared Phys, Shanghai 200083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jhchu@mail.sitp.ac.cn
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