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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, Z;  Kang, JJ;  Wang, BW;  Li, HJ;  Weng, YH;  Lee, YC;  Liu, ZQ;  Yi, XY;  Feng, ZC;  Wang, GH
Adobe PDF(1381Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：680/179  |  提交时间：2015/03/19
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, ZC;  Liu, B;  Zhang, R;  Zhang, Z;  Tao, T;  Xie, ZL;  Chen, P;  Jiang, RL;  Zheng, YD;  Ji, XL
Adobe PDF(345Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：895/239  |  提交时间：2013/03/17
高抗静电能力氮化镓基LED外延结构与MOCVD生长工艺研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2011
作者:  李志聪
Adobe PDF(3109Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1340/121  |  提交时间：2011/06/07
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang B;  Li ZC;  Yao R;  Liang M;  Yan FW;  Wang GH;  Wang, B, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lighting R&D Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. wangbing@semi.ac.cn
Adobe PDF(761Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1554/374  |  提交时间：2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  王兵;  李志聪;  姚然;  梁萌;  闫发旺;  王国宏
Adobe PDF(761Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1410/194  |  提交时间：2011/08/16
一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214739A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  李志聪;  姚然;  王兵;  梁萌;  李璟;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(992Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1901/302  |  提交时间：2012/09/09
一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010145087.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  王兵;  李志聪;  王国宏;  闫发旺;  姚然;  王军喜;  李晋闽
Adobe PDF(260Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1462/259  |  提交时间：2011/08/31
一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214740A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  李志聪;  姚然;  王兵;  梁萌;  李鸿渐;  李盼盼;  李璟;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(1092Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1593/306  |  提交时间：2012/09/09
GaN基发光二极管的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-30
发明人:  黄亚军;  王莉;  樊中朝;  刘志强;  伊晓燕
Adobe PDF(405Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：883/110  |  提交时间：2014/12/25
蓝宝石图形衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-24
发明人:  段瑞飞;  季安;  伊晓燕;  王莉;  樊中朝;  郭金霞;  潘岭峰;  黄亚军;  赵冀;  李镇
Adobe PDF(1025Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：837/96  |  提交时间：2014/11/17