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| 4H -SiC 基 SiO 2和 Al 2O3栅介质层的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2016
作者: 田丽欣
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| 硅基III-V族半导体材料的外延生长及量子点激光器研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 刘广政
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Gaas/si Gaas/ge 两步法 四步法 量子点 激光器 |
| 离子束溅射沉积制备六方氮化硼二维原子晶体 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 王浩林
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六方氮化硼 二维原子晶体 离子束溅射沉积 衬底 大尺寸晶畴 |
| 等效介质层增强倒装LED发光效率的微纳技术研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 吴冬雪
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| Si基InAsSb纳米线MOCVD生长及机理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 杜文娜
Adobe PDF(6743Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1037/56 | 提交时间：2016/05/31
Inassb纳米线 生长机制 平面纳米线 纳米线阵列 金属有机化学气相沉积 |
| 无权访问的条目 学位论文
作者: 赵亚娟
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| GaN HEMT 基础问题研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者: 何晓光
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Gan Hemt 2deg Mocvd 高阻 |
| 基于ART技术的硅基III-V族材料及器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 李士颜
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高深宽比限制技术 选区外延技术 Si基iii-v族异质外延 Si基高迁移率iii-v族mosfet 纳米激光器 |
| 无权访问的条目 学位论文
作者: 赵云
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| 纳米（线）结构改善硅薄膜电池性能 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者: 张晓东
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硅纳米线电池 In残留物 Tco背电极层 填充因子ff |
