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含有变In组分InGaN/GaN多层量子阱结构的太阳能电池 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-08
发明人:  杨静;  赵德刚;  李亮;  吴亮亮;  乐伶聪;  李晓静;  何晓光
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氮化镓同质衬底上激光器量子阱有源区的同温生长方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  赵德刚;  陈平;  刘宗顺;  朱建军;  江德生;  杨辉
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提高激光器量子阱载流子限制能力的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  李翔;  赵德刚;  江德生;  刘宗顺;  陈平;  朱建军
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含有低温插入层的铟镓氮/氮化镓多量子阱太阳能电池 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  杨静;  赵德刚;  陈平;  刘宗顺;  江德生
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InGaN/AlInGaN多量子阱太阳能电池结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  杨静;  赵德刚;  乐伶聪;  李晓静;  何晓光
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一种非对称金属光栅包覆半导体多量子阱波导激光器 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-25
发明人:  郑婉华;  张斯日古楞;  王宇飞;  齐爱谊;  马传龙;  刘磊;  刘云;  郭小杰
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