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| GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-11-11, 公开日期: 4012
发明人: 汤宝 ; 周志强; 郝瑞亭; 任正伟; 徐应强; 牛智川
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| GaAs基InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-21, 公开日期: 4010
发明人: 周志强; 郝瑞亭; 汤 宝; 任正伟; 徐应强; 牛智川
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| InAs单量子点的光学性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者: 窦秀明
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Guo J; Peng ZY; Lu ZX; Sun WG; Hao RT; Zhou ZQ; Xu YQ; Niu ZC; Guo J NW Polytech Univ Sch Mat Xian 710072 Peoples R China.
Adobe PDF(475Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1149/346 | 提交时间：2010/03/08 |
| InAs/GaSb超晶格及量子点材料生长研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者: 周志强
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Ji HM; Cao YL; Yang T; Ma WQ; Cao Q; Chen LH; Ji HM Chinese Acad Sci Inst Semicond Nanooptoelect Lab Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: tyang@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zheng WL; Li ZW; Wang XF; Zheng WL Chengde Teachers Coll Nationalities Dept Phys Chengde 067000 Peoples R China. E-mail Address: zhengwenliheda@126.com
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| GaAs基1.5μm异变InAs量子点材料的分子束外延生长 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者: 王鹏飞
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| 长波长InAs/GaAs量子点的MOCVD生长及激光器制作 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者: 梁松
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| InAs量子点单光子发射器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者: 熊永华
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