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一种照明用氮化镓基发光二极管器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-02-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  韩培德
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一种照明用氮化镓基发光二极管器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-02-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  韩培德
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一种照明用氮化镓基发光二极管器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-02-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  韩培德
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一种照明用氮化镓基发光二极管器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  韩培德
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高P型载流子浓度的氮化镓基化合物薄膜的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-09-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  韩培德;  陈振
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  韩培德;  刘祥林;  袁海荣;  陈振;  李昱峰;  陆沅;  汪度;  陆大成;  王占国
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一种生长氮化镓及其化合物薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2001-04-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  韩培德
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  韩培德;  段晓峰;  孙家龙;  张泽;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  刘祥林;  王晓晖;  汪度;  汪连山;  王成新;  韩培德;  陆大成;  林兰英
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