一种生长氮化镓及其化合物薄膜的方法
韩培德
2001-04-04
公开日期2009-06-04 ; 2009-06-11
专利类型发明
申请日期1999-09-28
语种中文
申请号CN99119773.9
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/3035
专题中国科学院半导体研究所(2009年前)
推荐引用方式
GB/T 7714
韩培德. 一种生长氮化镓及其化合物薄膜的方法[P]. 2001-04-04.
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