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| 一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910235334.6, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 牛智川; 倪海桥; 王海莉; 贺继方; 朱岩; 李密峰; 王鹏飞; 黄社松; 熊永华 Adobe PDF(723Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1672/204  |  提交时间:2011/08/30 |
| 光伏型InAs量子点红外探测器结构 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910242347.6, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 唐光华; 徐波; 叶小玲; 金鹏; 刘峰奇; 陈涌海; 王占国; 姜立稳; 孔金霞; 孔宁 Adobe PDF(377Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1579/255  |  提交时间:2011/08/31 |
| 砷化镓基短波长量子点超辐射发光二极管 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102136534A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 梁德春; 李新坤; 金鹏; 王占国 Adobe PDF(1964Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1435/193  |  提交时间:2012/09/09 |
| 窄脊半导体器件的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2017-06-05 发明人: 杨冠卿; 梁平; 徐波; 陈涌海; 王占国 Adobe PDF(5284Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:585/4  |  提交时间:2017/06/05 |
| 制备低密度、长波长InAs/GaAs 量子点的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-05 发明人: 张世著; 叶小玲; 徐波; 王占国 Adobe PDF(401Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:667/83  |  提交时间:2014/11/24 |