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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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文献类型:专利
专题:中科院半导体照明研发中心
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发光二极管封装结构
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102255034A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
杨华
;
卢鹏志
;
谢海忠
;
于飞
;
郑怀文
;
薛斌
;
伊晓燕
;
王军喜
;
王国宏
;
李晋闽
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浏览/下载:1514/231
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提交时间:2012/09/09
一种对Ⅲ-Ⅴ氮化物进行n型和p型掺杂的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910241697.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
纪攀峰
;
李京波
;
闫建昌
;
刘乃鑫
;
刘喆
;
王军喜
;
李晋闽
Adobe PDF(315Kb)
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浏览/下载:2010/220
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提交时间:2011/08/31
氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214743A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
郭恩卿
;
伊晓燕
;
汪炼成
;
孙波
;
王国宏
Adobe PDF(298Kb)
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浏览/下载:1508/234
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提交时间:2012/09/09
氧化铟锡透明导电薄膜表面粗化方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102244159A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
郑怀文
;
张逸韵
;
吴奎
;
杨华
;
李璟
Adobe PDF(327Kb)
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浏览/下载:1537/231
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提交时间:2012/09/09
调制掺杂的氮化镓系发光二极管的制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102185052A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
马平
;
王军喜
;
王国宏
;
曾一平
;
李晋闽
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浏览/下载:1820/324
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提交时间:2012/09/09
平行四边形GaN基发光二极管芯片的对称电极
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113804.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
孙莉莉
;
闫发旺
;
张会肖
;
王军喜
;
王国宏
;
曾一平
;
李晋闽
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浏览/下载:1589/264
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提交时间:2011/08/31
氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102208502A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
詹腾
;
汪炼成
;
郭恩卿
;
刘志强
;
伊晓燕
;
王国宏
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浏览/下载:1468/211
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提交时间:2012/09/09
应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214753A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
张逸韵
;
汪炼成
;
郭恩卿
;
孙波
;
伊晓燕
;
王国宏
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浏览/下载:2058/355
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提交时间:2012/09/09
一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214739A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
李志聪
;
姚然
;
王兵
;
梁萌
;
李璟
;
王国宏
;
李晋闽
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浏览/下载:2064/302
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提交时间:2012/09/09
透明电极GaN基LED结构及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081994.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
杨华
;
王晓峰
;
阮军
;
王国宏
;
曾一平
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浏览/下载:1727/240
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提交时间:2011/08/31