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半导体应变弛豫材料的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  成步文;  姚飞;  薛春来;  张建国;  左玉华;  王启明
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用磁控溅射法在镓砷衬底上外延生长铟砷锑薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  彭长涛;  陈诺夫;  吴金良;  尹志冈;  杨霏
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利用三维极化感应空穴气提高LED发光效率的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010119349.9, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  张连;  丁凯;  王军喜;  段瑞飞;  曾一平;  李晋闽
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用于改善条形激光器侧向远场的光子晶体波导的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102142657A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  陈微;  周文君;  刘安金;  付非亚;  张建心;  渠红伟;  郑婉华
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垂直腔面发射激光器顶部的准周期光子晶体结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102163802A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  张建心;  刘安金;  江斌;  付非亚;  渠红伟;  郑婉华
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集成光子晶体相位调制器的耦合波导激光器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102299483A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  郑婉华;  陈微;  张建心;  渠红伟;  付非亚
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实现大功率横向低发散角的半导体激光器结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102255240A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  郑婉华;  陈微;  张建心;  渠红伟;  付非亚
Adobe PDF(401Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1386/298  |  提交时间：2012/09/09