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基于SOI衬底InGaAs/InP多量子阱结构纳米线研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者:  李稚博
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低偏角碳化硅同质/异质外延生长研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2016
作者:  闫果果
Adobe PDF(3768Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1124/27  |  提交时间:2016/12/05
4H -SiC 基 SiO 2和 Al 2O3栅介质层的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2016
作者:  田丽欣
Adobe PDF(3926Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:962/33  |  提交时间:2016/12/05
VGF-Ge单晶衬底完整性、复合缺陷及其对多结电池性能的影响 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  曹可慰
Adobe PDF(3546Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1166/23  |  提交时间:2015/12/08
  单晶  垂直梯度凝固  多结电池  热施主  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵杰;  曾一平
Adobe PDF(500Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:4536/1431  |  提交时间:2011/08/16
无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵杰;  刘超;  李彦波;  曾一平
Adobe PDF(1467Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1506/231  |  提交时间:2011/08/16
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei LM;  Gao KH;  Liu XZ;  Zhou WZ;  Cui LJ;  Zeng YP;  Yu G;  Yang R;  Lin T;  Shang LY;  Guo SL;  Dai N;  Chu JH;  Austing DG;  Yu, G (reprint author), Shanghai Inst Tech Phys, Chinese Acad Sci, Natl Lab Infrared Phys, Shanghai 200083, Peoples R China, yug@mai.sitp.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  周文政;  代娴;  林铁;  商丽燕;  崔利杰;  曾一平;  褚君浩
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基于二维电子气材料的半导体磁敏型传感器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102376874A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29
发明人:  张杨;  曾一平
Adobe PDF(757Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1791/266  |  提交时间:2012/08/29