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| 基于SOI衬底InGaAs/InP多量子阱结构纳米线研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2017 作者: 李稚博![](/image/person.jpg)
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| 低偏角碳化硅同质/异质外延生长研究 学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 2016 作者: 闫果果
Adobe PDF(3768Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:1124/27  |  提交时间:2016/12/05 |
| 4H -SiC 基 SiO 2和 Al 2O3栅介质层的研究 学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 2016 作者: 田丽欣
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| VGF-Ge单晶衬底完整性、复合缺陷及其对多结电池性能的影响 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2015 作者: 曹可慰
Adobe PDF(3546Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:1166/23  |  提交时间:2015/12/08 锗 单晶 垂直梯度凝固 多结电池 热施主 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 赵杰 ; 曾一平
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 赵杰 ; 刘超 ; 李彦波 ; 曾一平
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Wei LM; Gao KH; Liu XZ; Zhou WZ; Cui LJ; Zeng YP; Yu G; Yang R; Lin T; Shang LY; Guo SL; Dai N; Chu JH; Austing DG; Yu, G (reprint author), Shanghai Inst Tech Phys, Chinese Acad Sci, Natl Lab Infrared Phys, Shanghai 200083, Peoples R China, yug@mai.sitp.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 周文政; 代娴; 林铁; 商丽燕; 崔利杰; 曾一平; 褚君浩
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| 基于二维电子气材料的半导体磁敏型传感器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102376874A, 公开日期: 2012-08-29, 2012-08-29, 2012-08-29 发明人: 张杨; 曾一平
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