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利用极化感应空穴实现p型金属极性宽禁带半导体的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010128387.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  丁凯;  张连;  王军喜;  段瑞飞;  曾一平;  李晋闽
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氮化镓生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810224104.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  段瑞飞;  魏同波;  王国宏;  曾一平;  李晋闽
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