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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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共17条,第1-10条
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发表日期:2007
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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第一作者单位
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95
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具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨少延
;
杨霏
;
李成明
;
范海波
;
陈涌海
;
刘志凯
;
王占国
Adobe PDF(1107Kb)
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浏览/下载:1414/193
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提交时间:2009/06/11
用固态磷裂解源炉分子束外延磷化铟材料的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
李路
;
刘峰奇
;
周华兵
;
梁凌燕
;
吕小晶
Adobe PDF(593Kb)
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浏览/下载:1542/182
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提交时间:2009/06/11
砷化镓基量子级联半导体激光器材料及生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
李路
;
刘峰奇
;
刘俊岐
;
郭瑜
;
周华兵
;
梁凌燕
;
吕小晶
Adobe PDF(960Kb)
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浏览/下载:1642/198
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ren, YY (Ren Yun-Yun)
;
Xu, B (Xu Bo)
;
Wang, ZG (Wang Zhan-Guo)
;
Liu-Ming (Liu-Ming)
;
Long, SB (Long Shi-Bing)
;
Ren, YY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yunyun_ren@mail.semi.ac.cn
Adobe PDF(594Kb)
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浏览/下载:801/262
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang PF (Zhang, P. F.)
;
Liu XL (Liu, X. L.)
;
Wei HY (Wei, H. Y.)
;
Fan HB (Fan, H. B.)
;
Liang ZM (Liang, Z. M.)
;
Jin P (Jin, P.)
;
Yang SY (Yang, S. Y.)
;
Jiao CM (Jiao, C. M.)
;
Zhu QS (Zhu, Q. S.)
;
Wang ZG (Wang, Z. G.)
;
Zhang, PF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhangpanf@semi.ac.cn
;
xlliu@semi.ac.cn
Adobe PDF(500Kb)
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浏览/下载:1064/319
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提交时间:2010/03/29
高速CMOS 光接收机电路研究
学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
作者:
刘金彬
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提交时间:2009/04/13
掺铒半导体材料的性质的研究
学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
作者:
卞留芳
Adobe PDF(2288Kb)
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提交时间:2009/04/13
无权访问的条目
期刊论文
作者:
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
任丙彦
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刘晓平
;
许颖
;
王敏花
;
廖显伯
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
贾国治
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姚江宏
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张春玲
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舒强
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刘如彬
;
叶小玲
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王占国
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提交时间:2010/11/23