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| In-Situ Boron and Aluminum Doping and Their Memory Effects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Hot-Wall LPCVD 会议论文 SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007 作者: Sun, GS; Zhao, YM; Wang, L; Zhao, WS; Liu, XF; Ji, G; Zeng, YP; Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(273Kb)  |   收藏  |  浏览/下载:1799/274  |  提交时间:2010/03/09 In-situ Doping Boron Aluminum Memory Effects Hot-wall Lpcvd 4h-sic |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Zhang YJ; Chang BK; Yang Z; Niu J; Xiong YJ; Shi F; Guo H; Zeng YP; Chang BK Nanjing Univ Sci & Technol Inst Elect Engn & Optoelect Nanjing 210094 Peoples R China. E-mail Address: bkchang@mail.njust.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Liu WB; Zhao DG ; Sun X; Zhang S; Jiang DS ; Wang H; Zhang SM ; Liu ZS; Zhu JJ ; Wang YT ; Duan LH; Yang H; Liu WB Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: wbliu@semi.ac.cn; dgzhao@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Wang H; Jiang DS ; Zhu JJ ; Zhao DG ; Liu ZS; Wang YT ; Zhang SM ; Yang H; Wang H Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: wangh@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Zhao DG ; Jiang DS ; Liu ZS; Zhu JJ ; Wang H; Zhang SM ; Yang H; Zhao DG Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: dgzhao@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 张曾; 张荣; 谢自力; 刘斌 ; 修向前; 李弋; 傅德颐; 陆海; 陈鹏; 韩平; 郑有炓; 汤晨光; 陈涌海 ; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Zhang Z; Zhang R; Xie ZL; Liu B ; Xiu XQ; Li Y; Fu DY; Lu H; Chen P ; Han P; Zheng YD; Tang CG; Chen YH ; Wang ZG ; Wang H; Jiang DS ; Zhu JJ ; Zhao DG ; Liu ZS; Wang YT ; Zhang SM ; Yang H; Zhang Z Nanjing Univ Jiangsu Prov Key Lab Adv Photon & Elect Mat Nanjing 210093 Peoples R China. E-mail Address: rzhang@nju.edu.cn
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