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作者:  Huang Y (Huang Y.);  Wang H (Wang H.);  Sun Q (Sun Q.);  Chen J (Chen J.);  Li DY (Li D. Y.);  Zhang JC (Zhang J. C.);  Wang JF (Wang J. F.);  Wang YT (Wang Y. T.);  Yang H (Yang H.);  Wang, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: wangh@red.semi.ac.cn
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作者:  Huang Y;  Wang H;  Sun Q;  Chen J;  Li DY;  Wang, YT;  Yang H;  Huang, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yhuang@red.semi.ac.cn
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作者:  Huang Y;  Wang H;  Sun Q;  Chen J;  Wang JF;  Wang YT;  Yang H;  Wang, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wangh@red.semi.ac.cn
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作者:  Xiao, HL;  Wang, XL;  Wang, JX;  Zhang, NH;  Liu, HX;  Zeng, YP;  Li, JM;  Wang, ZG;  Xiao, HL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Grp, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hlxiao@red.semi.ac.cn
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