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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lin ZL;  Zheng XH;  Wang Q;  Zhou ML;  Lin, ZL, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, Ion Beam Lab, Shanghai 200050, Peoples R China. 电子邮箱地址: lzlsim@sina.com.cn
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MOCVD growth of high quality crack-free GaN on Si(III) substrates 会议论文
PROCEEDINGS OF THE SIXTH CHINESE OPTOELECTRONICS SYMPOSIUM, KOWLOON, PEOPLES R CHINA, SEP 12-14, 2003
作者:  Zhang BS;  Zhu JJ;  Wang YT;  Yang H;  Zhang BS Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Vapor-phase Epitaxy  Layers  Aln  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang BS;  Wu M;  Shen XM;  Chen J;  Zhu JJ;  Liu JP;  Feng G;  Zhao DG;  Wang YT;  Yang H;  Zhang BS,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Munoz M;  Huang YS;  Pollak FH;  Yang H;  Munoz M,CUNY City Coll,Dept Chem,Convent Ave & 138th St,New York,NY 10031 USA.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao DG;  Xu SJ;  Xie MH;  Tong SY;  Yang H;  Xu SJ,Univ Hong Kong,Dept Phys,Pokfulam Rd,Hong Kong,Hong Kong,Peoples R China.
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