已选(0)清除
条数/页: 排序方式: |
| 一种用于氮化物半导体材料退火的新型加热衬托 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 冉军学; 李建平; 胡国新; 王军喜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(335Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1350/193  |  提交时间:2009/06/11 |
| 改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 王翠梅; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平 Adobe PDF(627Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1282/179  |  提交时间:2009/06/11 |
| 双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 王翠梅; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(830Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1068/142  |  提交时间:2009/06/11 |
| 提高氮化镓基高电子迁移率晶体管性能的结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王翠梅; 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平 Adobe PDF(656Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1086/153  |  提交时间:2009/06/11 |
| 制备绝缘体上锗硅薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 刘超; 高兴国; 李建平; 曾一平 Adobe PDF(370Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1339/176  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Wang BZ (Wang Bao-Zhu); Wang XL (Wang Xiao-Liang); Hu GX (Hu Guo-Xin); Ran JX (Ran Jun-Xue); Wang XH (Wang Xin-Hua); Guo LC (Guo Lun-Chun); Xiao HL (Xiao Hong-Ling); Li JP (Li Jian-Ping); Zeng YP (Zeng Yi-Ping); Li JM (Li Jin-Min); Wang ZG (Wang Zhan-Guo); Wang, BZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: wangbz@semi.ac.cn Adobe PDF(236Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1004/266  |  提交时间:2010/04/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 李国华; 马宝珊; 王文杰; 苏付海; 丁琨; 赵建华; 邓加军; 蒋春萍 Adobe PDF(390Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1083/332  |  提交时间:2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 马宝珊; 王文杰; 苏付海; 邓加军; 蒋春萍; 刘海林; 丁琨; 赵建华; 李国华 Adobe PDF(438Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:940/280  |  提交时间:2010/11/23 |