×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
资助项目
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [8]
作者
赵雷 [1]
安俊明 [1]
左玉华 [1]
成步文 [1]
文献类型
专利 [4]
期刊论文 [3]
会议论文 [1]
发表日期
2006 [8]
语种
中文 [5]
英语 [3]
出处
CHINESE PH... [1]
Silicon Ca... [1]
功能材料与器件学报 [1]
半导体学报 [1]
资助项目
收录类别
CSCD [2]
CPCI-S [1]
SCI [1]
资助机构
Aixtron.; ... [1]
National S... [1]
国家自然科学基金资助... [1]
×
知识图谱
SEMI OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共8条,第1-8条
帮助
限定条件
发表日期:2006
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
题名升序
题名降序
对砷化铝/砷化镓的砷化镓高选择比化学腐蚀液
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
黄应龙
;
杨富华
;
王良臣
;
姜磊
;
白云霞
;
王莉
Adobe PDF(207Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1430/204
  |  
提交时间:2009/06/11
紫外激光写入制备高折射率差二氧化硅波导的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
夏君磊
;
吴远大
;
安俊明
;
郜定山
;
李健
;
龚春娟
;
胡雄伟
Adobe PDF(446Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1437/146
  |  
提交时间:2009/06/11
一种竖直式高温大功率碳化硅外延材料制造装置
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
孙国胜
;
王雷
;
赵万顺
;
曾一平
;
李晋闽
Adobe PDF(1125Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1075/150
  |  
提交时间:2009/06/11
降低磷离子注入(0001)取向的4H-碳化硅电阻率的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
高欣
;
孙国胜
;
李晋闽
;
王雷
;
赵万顺
Adobe PDF(499Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1444/188
  |  
提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Liu XF (Liu Xing-Fang)
;
Sun GS (Sun Guo-Sheng)
;
Li JM (Li Jin-Min)
;
Zhao YM (Zhao Yong-Mei)
;
Li JY (Li Jia-Ye)
;
Wang L (Wang Lei)
;
Zhao WS (Zhao Wan-Shun)
;
Zeng YP (Zeng Yi-Ping)
;
Liu, XF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: liuxf@mail.semi.ac.cn
Adobe PDF(580Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1333/335
  |  
提交时间:2010/04/11
Homoepitaxial growth and characterization of 4H-SiC epilayers by low-pressure hot-wall chemical vapor deposition
会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2005丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Pittsburgh, PA, SEP 18-23, 2005
作者:
Sun, GS (Sun, Guosheng)
;
Ning, J (Ning, Jin)
;
Gong, QC (Gong, Quancheng)
;
Gao, X (Gao, Xin)
;
Wang, L (Wang, Lei)
;
Liu, XF (Liu, Xingfang)
;
Zeng, YP (Zeng, Yiping)
;
Li, JM (Li, Jinmin)
;
Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(981Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1483/203
  |  
提交时间:2010/03/29
Homoepitaxial Growth
Low-pressure Hot-wall Cvd
Structural And Optical Characteristics
Intentional Doping
Schottky Barrier Diodes
无权访问的条目
期刊论文
作者:
ZHAO Lei
;
Zuo Yuhua
;
Li Chuanbo
;
Cheng Buwen
;
Luo Liping
;
Yu Jinzhong
;
Wang Qiming
Adobe PDF(331Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:854/214
  |  
提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
吴远大
;
夏君磊
;
安俊明
;
李建光
;
王红杰
;
胡雄伟
Adobe PDF(512Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:619/207
  |  
提交时间:2010/11/23