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| 磷化铟衬底上制备量子线阵列的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 黄秀颀; 刘峰奇
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| 多孔磷化铟阻挡层以及多孔磷化铟的腐蚀液及使用方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 车晓玲; 刘峰奇; 黄秀颀; 雷文; 刘俊岐; 路秀真
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| 共振遂穿二极管与高电子迁移率晶体管器件制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 黄应龙; 杨富华; 王良臣; 王建林; 伊小燕; 马龙
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| 对砷化铝/砷化镓的砷化镓高选择比化学腐蚀液 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 黄应龙; 杨富华; 王良臣; 姜磊; 白云霞; 王莉
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Huang Y (Huang Y.); Wang H (Wang H.); Sun Q (Sun Q.); Chen J (Chen J.); Li DY (Li D. Y.); Zhang JC (Zhang J. C.); Wang JF (Wang J. F.); Wang YT (Wang Y. T.); Yang H (Yang H.); Wang, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: wangh@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhou YF; Pan ZL; Liu Y; Ai F; Chen NF; Huang YY; He W; Tang LA; Wang JC; Zhou, YF, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Ceram, Shanghai 200050, Peoples R China. E-mail: yfzhou@sunm.shcnc.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 马龙; 王良臣; 黄应龙; 杨富华
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 杨红波; 俞重远; 刘玉敏; 封强; 郑世奇; 黄永箴
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 马龙; 杨富华; 王良臣; 余洪敏; 黄应龙
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 封强; 俞重远; 刘玉敏; 杨红波; 黄永箴
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