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组份渐变铁磁性半导体制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈诺夫;  张富强;  杨君玲;  刘志凯;  杨少延;  柴春林
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半导体/磁体/半导体三层结构的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-03-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨君玲;  陈诺夫;  何家宏;  钟兴儒;  吴金良;  林兰英;  刘志凯;  杨少延;  柴春林
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang LJ;  Zhu MF;  Liu FZ;  Liu JL;  Han YQ;  Wang LJ,Chinese Acad Sci,Dept Phys,Grad Sch,Beijing 100039,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JL;  Li SS;  Niu ZC;  Yang FH;  Feng SL;  Liu JL,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JL;  Li SS;  Niu ZC;  Yang FH;  Feng SL;  Liu JL,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Superlatt & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang FQ;  Chen NF;  Liu ZK;  Chai CL;  Yang SY;  Yang JL;  Wu JL;  Lin LY;  Callaghan FD;  Li T;  Foxton CT;  Bates CA;  Zhang FQ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(117Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1059/269  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JL;  Li SS;  Niu ZC;  Yang FH;  Feng SL;  Liu JL,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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垂直累积自组织InAs/GaAs双量子盘的斯塔克效应和光学性质 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2003
作者:  刘金龙
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen NF;  Zhang FQ;  Yang JL;  Liu ZK;  Yang SY;  Chai CL;  Wang ZG;  Hu WR;  Lin LY;  Chen NF,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Kong YC;  Zhou DY;  Lan Q;  Liu JL;  Miao ZH;  Feng SL;  Niu ZC;  Kong YC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Superlattices & Micostruct,Beijing 100083,Peoples R China.
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