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Temperature dependence of photoluminescence of flat and undulated SiGe/Si multiple quantum wells 会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (28-29), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:  Cheng BW;  Zhang JG;  Zuo YH;  Mao RW;  Huang CJ;  Luo LP;  Yao F;  Wang QM;  Cheng BW Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Si-ge Alloys  Growth  Layers  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YQ;  Liao XB;  Diao HW;  Cheng WC;  Li GH;  Chen CY;  Zhang SB;  Xu YY;  Chen WD;  Kong GL;  Wang YQ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Lab Surface Phys,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cheng BW;  Zhang JG;  Zuo YH;  Mao RW;  Huang CJ;  Luo LP;  Yao F;  Wang QM;  Cheng BW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王永谦;  廖显伯;  刁宏伟;  程文超;  李国华;  陈长勇;  张世斌;  徐艳月;  陈维德;  孔光临
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  周剑平;  柴春林;  杨少延;  刘志凯;  张志成;  陈诺夫;  林兰英
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