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Design and fabrication of GaAs OMIST photodetector 会议论文
INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:  Kang XJ;  Lin SM;  Liao QW;  Gao JH;  Liu SA;  Cheng P;  Wang HJ;  Zhang CH;  Wang QM;  Kang XJ Acad Sinica Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Photodetector  Oxidation  Materials Growth  
Visible vertical cavity surface emitting laser 会议论文
SEMICONDUCTOR LASERS III, 3547, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 16-18, 1998
作者:  Cheng P;  Ma XY;  Gao JH;  Kang XJ;  Cao Q;  Wang HJ;  Luo LP;  Zhang CH;  Lu XL;  Lin SM;  Cheng P Acad Sinica Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Semiconductor Lasers  Oxidation  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lei HB;  Yang QQ;  Zhu JL;  Gao JH;  Wang HJ;  Wang QM;  Lei HB,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China.
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