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硅衬底氮化镓材料制备生长研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2015
作者:  冯玉霞
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Si衬底  Aln  Gan  生长机制  应力  
蓝宝石衬底氮化铝材料HVPE生长研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  孔苏苏
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氮化铝 Hvpe 应力  
负电子亲和势AlN平面冷阴极发射特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  侍铭
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Aln  冷阴极  场致电子发射  硅掺杂  击穿  
Si(111)衬底上GaN外延的MOCVD生长及特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  赵丹梅
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Gan  Mocvd  
无权访问的条目 学位论文
作者:  李迪
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高功率太赫兹量子级联激光器的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  王涛
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量子级联激光器+太赫兹+高功率  
GaN和GaSb基稀磁半导体、肖特基结的制备及其性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  陶东言
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稀磁半导体  Gan  Gasb  表面钝化  肖特基器件  
GaN HEMT材料的MOCVD生长及新结构研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  崔磊
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GaN基HEMT电致退化研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  渠慎奇
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InGaN 多量子阱材料生长及太阳能电池器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  杨 静
Adobe PDF(4577Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:679/52  |  提交时间:2015/06/02