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GaN和GaSb基稀磁半导体、肖特基结的制备及其性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
Authors:  陶东言
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稀磁半导体  Gan  Gasb  表面钝化  肖特基器件  
无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Gao, Xingguo;  Liu, Chao;  Yin, Chunhai;  Tao, Dongyan;  Yang, Cheng;  Man, Baoyuan
Adobe PDF(627Kb)  |  Favorite  |  View/Download:462/145  |  Submit date:2013/09/17
无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Gao, Xingguo;  Liu, Chao;  Yin, Chunhai;  Tao, Dongyan;  Yang, Cheng;  Man, Baoyuan
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  陶东言 刘超 尹春海 曾一平
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Yin Chunhai ,Liu Chao,Tao Dongyan and Zeng Yiping
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无权访问的条目 期刊论文
Authors:  Yin Chunhai,Liu Chao,Tao Dongyan,Zeng Yiping
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