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GaN和GaSb基稀磁半导体、肖特基结的制备及其性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  陶东言
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稀磁半导体  Gan  Gasb  表面钝化  肖特基器件  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao, Xingguo;  Liu, Chao;  Yin, Chunhai;  Tao, Dongyan;  Yang, Cheng;  Man, Baoyuan
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao, Xingguo;  Liu, Chao;  Yin, Chunhai;  Tao, Dongyan;  Yang, Cheng;  Man, Baoyuan
Adobe PDF(648Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：328/63  |  提交时间：2014/03/18
无权访问的条目 期刊论文
作者:  陶东言 刘超 尹春海 曾一平
Adobe PDF(1403Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：355/79  |  提交时间：2014/03/18
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yin Chunhai ,Liu Chao,Tao Dongyan and Zeng Yiping
Adobe PDF(606Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：634/134  |  提交时间：2014/05/16
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yin Chunhai,Liu Chao,Tao Dongyan,Zeng Yiping
Adobe PDF(304Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：431/115  |  提交时间：2013/05/29