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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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发表日期:2008
语种:英语
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期刊论文
作者:
Deyneka-Dupriez N
;
Herr U
;
Fecht HJ
;
Zhang XW
;
Yin H
;
Boyen HG
;
Ziemann P
;
Deyneka-Dupriez, N, Univ Ulm, Inst Mikro & Nanomat, D-89081 Ulm, Germany. 电子邮箱地址: nataliya.deyneka@uni-ulm.de
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提交时间:2010/03/08
Fracture properties of PECVD silicon nitride thin films by long rectangular memrane bulge test
会议论文
2008 3RD IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANO/MICRO ENGINEERED AND MOLECULAR SYSTEMS, Sanya, PEOPLES R CHINA, JAN 06-09, 2008
作者:
Zhou, W
;
Yang, JL
;
Li, Y
;
Yang, FH
;
Yang, JL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100864, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Bulge Test
Fracture Property
Silicon Nitride
Weibull Distribution Function
Pockels effect in GaN/Al-x,Gal(1-x)N superlattice with different quantum structures - art. no. 69841G
会议论文
THIN FILM PHYSICS AND APPLICATIONS,SIXTH INTERNATIONAL CONFERENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, SEP 25-28, 2007
作者:
Chen P
;
Lib SP
;
Tu XG
;
Zuo YH
;
Zhao L
;
Chen SW
;
Li JC
;
Lin W
;
Chen HY
;
Liu DY
;
Kang JY
;
Yu YD
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Chen, P, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Pockels Effect
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期刊论文
作者:
Yang, JL
;
Gaspar, J
;
Paul, O
;
Yang, JL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: paul@imtek.de
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Jiang DS
;
Jahn U
;
Chen J
;
Li DY
;
Zhang SM
;
Zhu JJ
;
Zhao DG
;
Liu ZS
;
Yang H
;
Ploog K
;
Jiang, DS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dsjiang@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang LL
;
Wang H
;
Chen J
;
Sun X
;
Zhu JJ
;
Jiang DS
;
Yang H
;
Liang JW
;
Wang, LL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wangll@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08