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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, XW;  Xu, Q;  Fan, WJ;  Luo, JW;  Li, SS;  Xia, JB;  Zhang, XW, Nanyang Technol Univ, Sch Elect & Elect Engn, Singapore 639798, Singapore. 电子邮箱地址: zhxw99@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu, HZ;  Yan, Q;  Xu, HZ, Beihang Univ, Dept Phys, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hzxu@buaa.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, LX;  Da Silva, JLF;  Li, JB;  Yan, YF;  Gessert, TA;  Wei, SH;  Zhang, LX, Natl Renewable Energy Lab, Golden, CO 80401 USA.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Luo, JY;  Li, XQ;  Yan, YJ;  Luo, JY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu, YL;  Zhang, LW;  Xie, GL;  Zhu, JL;  Chen, YH;  Zhang, LW, Tsing Hua Univ, Dept Phys, Adv Mat Lab, Beijing 100084, Peoples R China. 电子邮箱地址: lwzhang@tsinghua.edu.cn
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Plasma induced damage in GaN-based light emitting diodes - art. no. 68410X 会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:  Li, Y;  Yi, XY;  Wang, XD;  Guo, JX;  Wang, LC;  Wang, GH;  Yang, FH;  Zeng, YP;  Li, JM;  Li, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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Gan  Led  Plasma  Damage  Etch  Icp  Pecvd  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li, CL;  Yang, FH;  Feng, SL;  Wang, XM;  Li, CL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: chllee@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  商丽燕;  林铁;  周文政;  黄志明;  李东临;  高宏玲;  崔利杰;  曾一平;  郭少令;  褚君浩
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cao GH;  Qin DS;  Guan M;  Cao JS;  Zeng YP;  Li JM;  Qin, DS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qindashan@yahoo.com.cn;  ypzeng@red.semi.ac.cn
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