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High-quality GaN grown by gas-source MBE 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Wang JX;  Sun DZ;  Wang XL;  Li JM;  Zeng YP;  Hou X;  Lin LY;  Wang JX Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Characterization  Molecular Beam Epitaxy  Gallium Compounds  Nitrides  Piezoelectric Materials  Semiconducting Gallium Compounds  Molecular-beam Epitaxy  Heterostructures  Sapphire  Diodes  
Orientation relationship between hexagonal inclusions and cubic GaN grown on GaAs(001) substrates 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Qu B;  Zheng XH;  Wang YT;  Xu DP;  Lin SM;  Yang H;  Liang JW;  Qu B Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelectron POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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X-ray Diffraction  Nitrides  Semiconducting Iii-v Materials  Phase  Films  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu HZ;  Bell A;  Wang ZG;  Okada Y;  Kawabe M;  Harrison I;  Foxon CT;  Xu HZ,Univ Tsukuba,Inst Appl Phys,Tsukuba,Ibaraki 3058573,Japan.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Qu B;  Zheng XH;  Wang YT;  Xu DP;  Lin SM;  Yang H;  Liang JW;  Qu B,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelectron,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang JX;  Sun DZ;  Wang XL;  Li JM;  Zeng YP;  Hou X;  Lin LY;  Wang JX,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng XH;  Qu B;  Wang YT;  Dai ZZ;  Yang H;  Liang JW;  Zheng XH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Qu B;  Zheng XH;  Wang YT;  Feng ZH;  Liu SA;  Lin SM;  Yang H;  Liang JW;  Qu B,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Labs Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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