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Optical transitions in GaNAs/GaAs single quantum well 会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者:  Luo XD;  Xu ZY;  Sun BQ;  Pan Z;  Li LH;  Lin YW;  Ge WK;  Luo XD Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Ganas  Photoluminescence  Band Offset  Band Bowing Coefficient  Localized Exciton  Molecular-beam Epitaxy  Alloys  Temperature  Gaasn  
In situ annealing during the growth of relaxed SiGe 会议论文
OPTICAL AND INFRARED THIN FILMS, 4094, SAN DIEGO, CA, 36739
作者:  Li DZ;  Huang CJ;  Cheng BW;  Wang HJ;  Yu Z;  Zhang CH;  Yu JZ;  Wang QM;  Li DZ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(1540Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1328/204  |  提交时间：2010/10/29
Ultrahigh Vacuum Chemical Vapor Deposition  Sige  Refractive High Energy Electron Diffraction  Tansmission Electron Microscopy  Double Crystal X-ray Diffraction  Mobility 2-dimensional Electron  Critical Thickness  Strained Layers  Ge  Relaxation  Epilayers  Si1-xgex  Gesi/si  Gases  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang CJ;  Li DZ;  Cheng BW;  Yu JZ;  Wang QM;  Huang CJ,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China. 电子邮箱地址: cjhuang@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(309Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1247/252  |  提交时间：2010/08/12
一种模拟开关两步法ADC的CMOS实现研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2000
作者:  兀革
Adobe PDF(3493Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：867/7  |  提交时间：2009/04/13
Effect of rapid thermal annealing on electron emission and DX centers in strained InGaAs/GaAs single quantum well laser diodes 会议论文
SIMC-XI: 2000 INTERNATIONAL SEMICONDUCTING AND INSULATING MATERIALS CONFERENCE, PROCEEDINGS, CANBERRA, AUSTRALIA, JUL 03-07, 2000
作者:  Lu LW;  Zhang YH;  Xu ZT;  Xu ZY;  Wang ZG;  Wang J;  Ge WK;  Lu LW Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(245Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1445/368  |  提交时间：2010/11/15
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu DP;  Yang H;  Li SF;  Zhao DG;  Ge H;  Wu RH;  Xu DP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Res Ctr Optoelect Technol,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(136Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1001/356  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JP;  Huang DD;  Li JP;  Lin YX;  Sun DZ;  Kong MY;  Huang DD,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(131Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：843/242  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li DZ;  Huang CJ;  Cheng BW;  Wang HJ;  Yu Z;  Zhang CH;  Yu JZ;  Wang QM;  Li DZ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(170Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：949/297  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li Q;  Xu ZY;  Ge WK;  Xu ZY,Acad Sinica,Inst Semicond,Natl Lab Supperlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(75Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：732/275  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li Q;  Xu ZY;  Ge WK;  Li Q,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(210Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：681/190  |  提交时间：2010/08/12