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The content calculation of hexagonal phase inclusions in cubic GaN films on GaAs(001) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition 会议论文
THIN SOLID FILMS, 368 (2), SHANGHAI, PEOPLES R CHINA, MAY 10-13, 1999
作者:  Sun XL;  Wang YY;  Yang H;  Li JB;  Zheng LX;  Xu DP;  Wang ZG;  Sun XL Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Res Ctr Optoelect Technol Beijing 100083 Peoples R China.
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Metalorganic Chemical Vapor Deposition  Cubic Gan  Hexagonal Phase Content  4-circle X-ray Double Crystal Diffraction  Molecular-beam Epitaxy  Gallium Nitride  Thin-films  Silicon  Gaas  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu DP;  Yang H;  Li JB;  Li SF;  Wang YT;  Zhao DG;  Wu RH;  Xu DP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Res Ctr Optoelect Technol,Beijing 100864,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu DP;  Yang H;  Li SF;  Zhao DG;  Ge H;  Wu RH;  Xu DP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Res Ctr Optoelect Technol,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang JP;  Wang XL;  Sun DZ;  Kong MY;  Zhang JP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Novel Mat Ctr,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun XL;  Wang YY;  Yang H;  Li JB;  Zheng LX;  Xu DP;  Wang ZG;  Sun XL,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Res Ctr Optoelect Technol,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu D;  Yang H;  Zhang SM;  Zheng LX;  Zhao DG;  Li SF;  Wang YT;  Wu RH;  Xu D,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Res Ctr Optoelect Technol,Beijing 100083,Peoples R China.
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Indium-doping enhanced two-dimensional-electron-gas performance in AlGaN/GaN heterostructures 会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者:  Yuan HR;  Lu DC;  Liu XL;  Han PD;  Wang XH;  Wang D;  Lu DC Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Algan/gan Heterostructures  In-doping  2deg  Electron Sheet Density  X-ray Diffraction  Etching  Chemical-vapor-deposition  Molecular-beam Epitaxy  Phase Epitaxy  Mobility  Growth  Films