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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [8]
作者
江德生 [1]
张加勇 [1]
文献类型
会议论文 [8]
发表日期
1999 [8]
语种
英语 [8]
出处
AMORPHOUS ... [3]
COMPOUND S... [1]
JOURNAL OF... [1]
JOURNAL OF... [1]
NUCLEAR IN... [1]
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收录类别:CPCI\-S
发表日期:1999
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Light-induced change of Si-H bond absorption in hydrogenated amorphous silicon
会议论文
AMORPHOUS AND MICROCRYSTALLINE SILICON TECHNOLOGY-1998, 507, SAN FRANCISCO, CA, APR 14-17, 1998
作者:
Yue GZ
;
Chen LF
;
Wang Q
;
Iwaniczko E
;
Kong GL
;
Baugh J
;
Wu Y
;
Han DX
;
Yue GZ Acad Sinica Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Vibrational-spectra
Light-excited structural instability of a-Si : H.
会议论文
AMORPHOUS AND MICROCRYSTALLINE SILICON TECHNOLOGY-1998, 507, SAN FRANCISCO, CA, APR 14-17, 1998
作者:
Kong GL
;
Zhang DL
;
Yue GZ
;
Wang YQ
;
Liao XB
;
Kong GL Chinese Acad Sci Inst Semicond State Lab Surface Phys POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1062/0
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提交时间:2010/10/29
Hydrogenated Amorphous-silicon
Preparation and characterization of erbium doped sol-gel silica glasses
会议论文
RARE-EARTH-DOPED MATERIALS AND DEVICES III, 3622, SAN JOSE, CA, JAN 27-28, 1999
作者:
Lei HB
;
Yang QQ
;
Ou HY
;
Chen BW
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Xie DT
;
Wu JG
;
Xu DF
;
Xu GX
;
Lei HB Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Er-doped Silica Glass
Sol-gel Process
Photoluminescence
Planar Wave-guides
Molecular-beam Epitaxy
Crystal Silicon
Implanted Si
Luminescence
Electroluminescence
Fabrication
Impurities
Films
Ions
High quality hydrogenated amorphous silicon films with significantly improved stability
会议论文
AMORPHOUS AND MICROCRYSTALLINE SILICON TECHNOLOGY-1998, 507, SAN FRANCISCO, CA, APR 14-17, 1998
作者:
Sheng SR
;
Liao XB
;
Ma ZX
;
Yue GZ
;
Wang YQ
;
Kong GL
;
Sheng SR Chinese Acad Sci State Lab Surface Phys Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
A-si-h
Light Soaking
Photoconductivity
Increase
First charge collection and position-precision data on the medium-resistivity silicon strip detectors before and after neutron irradiation up to 2x10(14) n/cm(2)
会议论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT, 426 (1), FLORENCE, ITALY, MAR 04-06, 1998
作者:
Li Z
;
Dezilllie B
;
Eremin V
;
Li CJ
;
Verbitskaya E
;
Li Z Brookhaven Natl Lab Bldg 535BPOB 5000 Upton NY 11973 USA.
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提交时间:2010/11/15
Strip Detectors
Silicon Detectors
Annealing
Simulation
Irradiation
N-eff
Junction Detectors
Radiation-damage
Models
Electrical properties of GaN deposited on nitridated sapphire by molecular beam epitaxy using NH3 cracked on the growing surface
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201, CANNES, FRANCE, AUG 31-SEP 04, 1998
作者:
Zhang JP
;
Sun DZ
;
Li XB
;
Wang XL
;
Kong MY
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Lin LY
;
Zhang JP Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Stress
Growth
New way to enhance the uniformity of self-organized InAs quantum dots
会议论文
COMPOUND SEMICONDUCTORS 1998, (162), NARA, JAPAN, OCT 12-16, 1998
作者:
Zhu HJ
;
Wang H
;
Wang ZM
;
Cui LQ
;
Feng SL
;
Zhu HJ Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Molecular-beam Epitaxy
Threshold
Growth
Laser
Photocurrent derivative spectra of ZnCdSe-ZnSe double multi-quantum wells
会议论文
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 28 (5), CHARLOTTESVILLE, VIRGINIA, JUN 24-26, 1998
作者:
Yu GH
;
Fan XW
;
Guan ZP
;
Zhang JY
;
Zhao XW
;
Shen DZ
;
Zheng ZH
;
Yang BJ
;
Jiang DS
;
Chen YB
;
Zhu ZM
;
Yu GH Chinese Acad Sci Lab Excited State Proc Changchun 130021 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Double Multi-quantum Wells
Photocurrent Spectra
Zncdse-znse
Spectroscopy
Photoluminescence
Heterostructures
Photodetectors