已选(0)清除
条数/页: 排序方式: |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Liang JR (Liang Ji-ran); Hu M (Hu Ming); Wang XD (Wang Xiao-dong); Li GK (Li Gui-ke); Kan Q (Kan Qiang); Ji A (Ji An); Yang FH (Yang Fu-hua); Liu J (Liu Jian); Wu NJ (Wu Nan-jian); Chen HD (Chen Hong-da); Liang, JR, Tianjin Univ, Coll Elect Sci & Technol, Sch Elect & Informat Engn, Tianjin 300072, Peoples R China. 电子邮箱地址: liang_jiran@tju.edu.cn Adobe PDF(362Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1271/322  |  提交时间:2010/04/26 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 刘伟; 杨富华 Adobe PDF(1516Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1068/348  |  提交时间:2011/08/16 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 梁继然; 胡明; 王晓东; 李贵柯; 阚强; 季安; 杨富华; 刘剑; 吴南健; 陈弘达 Adobe PDF(554Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1483/504  |  提交时间:2011/08/16 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 李越强; 刘雯; 王晓东; 陈燕凌; 杨富华; 曾一平 Adobe PDF(442Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:918/173  |  提交时间:2011/08/16 |
| 大规模防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010235859.2, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 杨晋玲; 刘云飞; 解婧; 杨富华 Adobe PDF(445Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1265/219  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种防止MEMS器件结构层材料被电化学腐蚀的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010235870.9, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 杨晋玲; 解婧; 刘云飞; 杨富华 Adobe PDF(453Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1390/224  |  提交时间:2011/08/31 |
| 一种超高真空多功能综合测试系统 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010171385.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31 发明人: 杨晋玲; 刘云飞; 解婧; 杨富华 Adobe PDF(846Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1611/70  |  提交时间:2011/08/31 |
| 高迁移率量子点场效应晶体管及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910091632.2, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 李越强; 刘雯; 王晓东; 陈燕玲; 杨富华 Adobe PDF(456Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1328/236  |  提交时间:2011/08/31 |
| 对砷化镓太阳电池帽层进行选择性腐蚀的化学腐蚀液 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910237097.7, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 刘雯; 李越强; 王晓东; 陈燕凌; 杨富华 Adobe PDF(588Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1663/277  |  提交时间:2011/08/31 |
| 在GaAs衬底上制备金属纳米颗粒的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102433529A, 公开日期: 2012-09-07, 2012-05-02, 2012-09-07 发明人: 刘雯; 王晓东; 程凯芳; 马慧丽; 王晓峰; 徐锐; 杨富华 Adobe PDF(3017Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1302/290  |  提交时间:2012/09/07 |