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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YS;  Li JM;  Wang YB;  Wang YT;  Sun GS;  Lin LY;  Wang YS,Beijing Normal Univ,Dept Phys,Beijing 100875,Peoples R China.
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Improvement of thin silicon on sapphire (SOS) film materials and device performances by solid phase epitaxy 会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 72 (2-3), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:  Wang QY;  Nie JP;  Yu F;  Liu ZL;  Yu YH;  Wang QY Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Solid Phase Epitaxy  SilicOn On Sapphire (Sos)  Carrier Mobility  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YS;  Li JM;  Jin YF;  Wang YT;  Lin LY;  Wang YS,Beijing Normal Univ,Dept Phys,Beijing 100875,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang QY;  Nie JP;  Yu F;  Liu ZL;  Yu YH;  Wang QY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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The SPER and characteristics of Si1-yCy alloys 会议论文
INTEGRATED OPTOELECTRONICS II, 3551, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 18-19, 1998
作者:  Yu Z;  Yu JZ;  Cheng BW;  Lei ZL;  Li DZ;  Wang QM;  Liang JW;  Yu Z Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Si1-ycy Alloys  Ion implantatIon  Solid Phase Epitaxy Recrystallization