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Detection of indium segregation effects in InGaAs/GaAs quantum wells using reflectance-difference spectrometry 会议论文
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 91, RIMINI, ITALY, SEP 24-28, 2001
作者:  Ye XL;  Chen YH;  Xu B;  Wang ZG;  Chen YH Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Reflectance-difference Spectroscopy  Indium Segregation  Ingaas/gaas Quantum Wells  Epitaxy-grown Ingaas/gaas  Surface Segregation  Interface  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ye XL;  Chen YH;  Xu B;  Wang ZG;  Chen YH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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Influence of substrate orientation on In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy 会议论文
PHYSICA E, 8 (2), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:  Jiang WH;  Xu HZ;  Xu B;  Ye XL;  Zhou W;  Ding D;  Liang JB;  Wang ZG;  Jiang WH Chinese Acad Sci Inst Semicond Inst Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Quantum Dots  High Index  Molecular Beam Epitaxy  Photoluminescence  Surface Segregation  Oriented Gaas  Ingaas  Islands  Wells  Disks  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhuang QD;  Li JM;  Zeng YP;  Yoon SF;  Zheng HQ;  Kong MY;  Lin LY;  Zhuang QD,Nanyang Technol Univ,Sch Elect & Elect Engn,Microelect Div,Nanyang Ave,Singapore 639798,Singapore.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiang WH;  Xu HZ;  Xu B;  Ye XL;  Zhou W;  Ding D;  Liang JB;  Wang ZG;  Jiang WH,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Inst Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu ZY;  Lu ZD;  Yuan ZL;  Yang XP;  Zheng BZ;  Xu JZ;  Ge WK;  Wang Y;  Wang J;  Chang LL;  Xu ZY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,NLSM,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu LW;  Zhang YH;  Yang GW;  Wang J;  Ge WK;  Lu LW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Integrated Optoelect Lab,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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