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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao YW;  Dong ZY;  Duan ML;  Sun WR;  Yang ZX;  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao YW (Zhao Y. W.);  Dong ZY (Dong Z. Y.);  Deng AH (Deng A. H.);  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Song SF;  Chen WD;  Xu ZJ;  Xu XR;  Song, SF, Beijing Jiaotong Univ, Inst Optoelect Technol, Beijing 100044, Peoples R China. E-mail: sfsong@center.njtu.edu.cn
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Improvement of the electrical property of semi-insulating InP by suppression of compensation defects 会议论文
2005 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials丛书标题: CONFERENCE PROCEEDINGS - INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS, Glasgow, SCOTLAND, MAY 08-12, 2005
作者:  Zhao, YW;  Dong, ZY;  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Ctr Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 10083, Peoples R China.
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Encapsulated Czochralski Inp  Semiconductor Compound-crystals  Stimulated Current Spectroscopy  Current Transient Spectroscopy  Deep-level Defects  Annealing Ambient  Point-defects  Fe  Phosphide  Donors  
Shallow donor defect formation and its influence on semi-insulating indium phosphide after high temperature annealing with long duration 会议论文
SMIC-XIII2004 13th International Conference on Semiconducting & Insulating Materials, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 20-25, 2004
作者:  Zhao, YW;  Dong, ZY;  Zhang, YH;  Li, CJ;  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Deep-level Defects  Fe-doped Inp  Grown Inp  Spectroscopy  Resonance  Wafer  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu HZ;  Wang ZG;  Harrison I;  Bell A;  Ansell BJ;  Winser AJ;  Cheng TS;  Foxon CT;  Kawabe M;  Kawabe M,Univ Tsukuba,Inst Appl Phys,Tsukuba,Ibaraki 3058573,Japan.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen N;  Chen N,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100864,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang HL;  Zhu HJ;  Ning D;  Wang H;  Wang XD;  Guo ZS;  Feng SL;  Ning D,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
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