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| 氮化镓基多波段探测器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12 发明人: 刘文宝; 孙 苋; 赵德刚 ; 刘宗顺; 张书明 ; 朱建军; 杨 辉
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| 利用光辅助氧化湿法刻蚀Ⅲ族氮化物的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12 发明人: 刘文宝; 孙 苋; 赵德刚 ; 刘宗顺; 张书明 ; 朱建军; 杨 辉
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 刘文宝; 赵德刚 ; 江德生 ; 刘宗顺; 朱建军 ; 张书明 ; 杨辉
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| 高性能GaN基雪崩光电二极管研究 学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009 作者: 刘文宝
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 张爽; 赵德刚 ; 刘宗顺; 朱建军 ; 张书明 ; 王玉田 ; 段俐宏; 刘文宝; 江德生 ; 杨辉
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Liu WB (Liu Wenbao); Sun X (Sun Xian); Zhang S (Zhang Shuang); Chen J (Chen Jun); Wang H (Wang Hui); Wang XL (Wang Xiaolan); Zhao DG (Zhao Degang); Yang H (Yang Hui); Liu, WB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wbliu@semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 刘宗顺; 赵德刚 ; 朱建军 ; 张书明 ; 段俐宏; 王海; 史永生; 刘文宝; 张爽; 江德生 ; 杨辉
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| 基于氮化镓材料的新型结构紫外双色探测器 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910085926.4, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 张爽; 赵德刚; 刘文宝; 孙苋; 刘宗顺; 张书明 ; 朱建军; 王辉; 段俐宏; 杨辉
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| Ⅲ族氮化物纳米材料的生长方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910085917.5, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 孙苋; 刘文宝; 朱建军; 江德生; 王辉; 张书明; 刘宗顺; 杨辉
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| 氮化镓基雪崩型探测器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910077383.1, 公开日期: 2011-08-30 发明人: 刘文宝; 孙苋; 赵德刚; 刘宗顺; 张书明 ; 朱建军; 王辉; 杨辉
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