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| 氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 王晓亮; 李巍; 李百泉; 肖红领; 殷海波; 冯春; 姜丽娟; 邱爱芹; 王翠梅; 介芳
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| 氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人: 王晓亮; 李巍; 李百泉; 肖红领; 殷海波; 冯春; 姜丽娟; 邱爱芹; 王翠梅; 介芳
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| 一种氮化镓基绝缘栅双极晶体管制备方法及其产品 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人: 王晓亮; 闫俊达; 李百泉; 王权; 肖红领; 冯春; 殷海波; 姜丽娟; 邱爱芹; 介芳
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