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| 基于四方相ZrO2缺陷的DRAM电容器可靠性研究 学位论文 理学硕士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023 作者: 李广卓 Adobe PDF(3295Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:195/0  |  提交时间:2023/07/03 |
| 低位错III-V族单晶衬底InP、GaSb和InAs的残留应力及其退火消除研究 学位论文 , 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021 作者: 周媛 Adobe PDF(5304Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:434/7  |  提交时间:2021/06/18 |
| GaSb原生受主缺陷对施掺杂激活及其器件应用的影响 学位论文 , 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019 作者: 余丁 Adobe PDF(3273Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:514/11  |  提交时间:2019/09/22 |
| InGaN量子阱及薄膜材料特性研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2018 作者: 刘炜 Adobe PDF(1908Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:944/61  |  提交时间:2018/06/20 Ingan 量子阱 薄膜 极化效应 局域态 本底载流子浓度 |
| InAs单晶原生缺陷、Mn掺杂及相关光电性质研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2018 作者: 沈桂英 Adobe PDF(4309Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:530/17  |  提交时间:2018/06/04 Inas单晶 热退火 离子注入 缺陷复合体 杂质带电导 |
| 面向新型红外探测应用的GaSb单晶制备、物性及缺陷控制 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2018 作者: 白永彪 Adobe PDF(6437Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:629/26  |  提交时间:2018/06/01 |
| GaN材料掺杂特性及LED器件droop效应研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2015 作者: 付丙磊 Adobe PDF(6373Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1262/91  |  提交时间:2015/06/03 |