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| 在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12 发明人: 王鹏飞; 吴东海; 吴兵朋; 熊永华; 詹 峰; 黄社松; 倪海桥; 牛智川 Adobe PDF(412Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1938/296  |  提交时间:2010/08/12 |
| GaAs基1.5μm异变InAs量子点材料的分子束外延生长 学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009 作者: 王鹏飞 Adobe PDF(2514Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:942/37  |  提交时间:2009/04/13 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 魏莱; 王守觉; 徐菲菲; 王睿智 Adobe PDF(1304Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:925/318  |  提交时间:2010/11/23 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 鞠研玲; 杨晓红; 韩勤; 杜云; 倪海桥; 黄社松; 王鹏飞; 贺继方; 牛智川 Adobe PDF(317Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1560/422  |  提交时间:2010/11/23 |
| 一种异质结双极晶体管及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 姚飞; 薛春来; 成步文; 王启明 Adobe PDF(635Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1344/199  |  提交时间:2009/06/11 |
| 半导体应变弛豫材料的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 成步文; 姚飞; 薛春来; 张建国; 左玉华; 王启明 Adobe PDF(497Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1413/187  |  提交时间:2009/06/11 |
| AlInGaN 四元合金的第一性原理研究 学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008 作者: 王飞 Adobe PDF(2271Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1089/42  |  提交时间:2009/04/13 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 王守觉; 周凌飞 Adobe PDF(432Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:814/242  |  提交时间:2010/11/23 |
| 具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨少延; 杨霏; 李成明; 范海波; 陈涌海; 刘志凯; 王占国 Adobe PDF(1107Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1403/193  |  提交时间:2009/06/11 |
| 制作高频大功率硅锗异质结双极晶体管结构的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 薛春来; 成步文; 姚飞; 王启明 Adobe PDF(644Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1395/181  |  提交时间:2009/06/11 |