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| 一种对Ⅲ-Ⅴ氮化物进行n型和p型掺杂的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910241697.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 纪攀峰; 李京波; 闫建昌; 刘乃鑫; 刘喆; 王军喜; 李晋闽
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| 适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010263069.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 孙莉莉; 闫建昌 ; 王军喜; 刘乃鑫; 魏同波 ; 魏学成 ; 马平; 刘喆; 曾一平; 王国宏; 李晋闽
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| 一种提高镁在Ⅲ-Ⅴ族氮化物中激活效率的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910241699.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31 发明人: 纪攀峰; 李京波; 闫建昌; 刘乃鑫; 刘喆; 王军喜; 李晋闽
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| 一种氮化镓系发光二极管 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010235850.1, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 马平; 王军喜; 刘乃鑫; 路红喜; 王国宏; 曾一平; 李晋闽
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| 一种增强LED出光效率的粗化方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010263076.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 孙莉莉; 闫建昌 ; 王军喜; 刘乃鑫; 魏同波 ; 魏学成 ; 马平; 刘喆; 曾一平; 王国宏; 李晋闽
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| 金属催化脱氢提高镁掺杂氮化物激活效率的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010514077.2, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 魏同波 ; 王军喜; 路红喜; 刘乃鑫; 曾一平; 李晋闽
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| 一种紫外LED的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102148300A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 贠利君; 吴奎; 刘乃鑫; 刘喆; 王军喜
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| 高出光率倒装结构LED的制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-03-13, 2013-03-13 发明人: 刘娜; 谢海忠; 伊晓燕; 王军喜; 李晋闽
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| 一种控制半导体LED外延片内应力的装置 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-07 发明人: 张宁; 魏学成; 刘桂鹏; 刘喆; 王军喜; 李晋闽
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| 一种提高发光效率的LED结构 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-07 发明人: 张宁; 任鹏; 刘喆; 李晋闽; 王军喜
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