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一种生长可控量子点和量子环的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-28, 公开日期: 4011
发明人:  赵 暕;  陈涌海;  王占国;  徐 波
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控制自组织铟镓砷量子点成核的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-23, 公开日期: 4007
发明人:  梁凌燕;  叶小玲;  金 鹏;  陈涌海;  徐 波;  王占国 
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng, YS (Peng, Yin-Sheng);  Xu, B (Xu, Bo);  Ye, XL (Ye, Xiao-Ling);  Niu, JB (Niu, Jie-Bin);  Jia, R (Jia, Rui);  Wang, ZG (Wang, Zhan-Guo);  Peng, YS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: cynthia@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tang CG;  Chen YH;  Xu B;  Ye XL;  Wang ZG;  Chen YH Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: yhchen@red.semi.ac.cn
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Morphology and wetting layer properties of InAs/GaAs nanostructures 会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI C - CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Gyeongju, SOUTH KOREA, MAY 11-16, 2008
作者:  Zhao C;  Chen YH;  Xu B;  Tang CG;  Wang ZG;  Chen, YH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Molecular-beam Epitaxy  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu Wanglai;  Xu Bo;  Liang Ping;  Hu Ying;  Sun Hong;  Lü Xueqin;  Wang Zhanguo
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